Mudanças entre as edições de "Laboratório de Implantação Iônica"

De Instituto de Física - UFRGS
(Criou página com 'Laboratório de Implantação Iônica')
 
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<big>'''Bem-vindo !'''</big>
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[[Imagem:Usa1gg.gif|right| link=http://implantador.if.ufrgs.br/index.php/Main_page| English Version]]
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[[Imagem:Implan6c.jpg|thumb|700px|center|Laboratório de Implantação de Íons.]]
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=  Avisos  =
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VII Encontro Sul-Americano de Colisões Inelásticas na Matéria (VII ESCIM),
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Gramado (RS), Brasil, 27 a 30 de outubro de 2014  [http://www.ufrgs.br/inelastico2014]
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Livro de resumo do VII ESCIM  [http://www.if.ufrgs.br/~grande/VIIESCIM.pdf]
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[[Imagem:VIIESCIM.png|thumb|500px|right|VII ESCIM]]
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Veja o blog do Instituto Nacional de Engenharia de Superfícies [ http://bit.ly/MAdmsG]
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'''REGRAS DE USO DO LABORATÓRIO'''  [http://www.if.ufrgs.br/~grande/regras.pdf]
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'''ANNUAL REPORT 2012''' do Laboratório  [http://www.if.ufrgs.br/~grande/arep2012.pdf]
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ANNUAL REPORT 2011 do Laboratório  [http://www.if.ufrgs.br/~grande/arep2011.pdf]
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ANNUAL REPORT 2010 do Laboratório  [http://www.if.ufrgs.br/~grande/arep2010.pdf]
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Fotos do Laboratório em http://implantador.multiply.com
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''''''Seminários do LII''''''
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'''Quintas-feiras, 14 h, na sala de seminários da Implantação Iônica.'''
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Data - Palestrante - Tema
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==  Cronograma ==
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(sujeito a modificações)
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''' Implantador '''
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17/11/2014 a 12/12/2014
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      Qualquer dúvida falar com o Agostinho.
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{| style="text-align: left; width: 100%" border="1" cellspacing="2" cellpadding="2"
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| Segunda-feira
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| Terça-feira
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| Quarta-feira
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| Quinta-feira
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| Sexta-feira
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|-
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|                                                                 
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|
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|
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|}
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'''Tandetron'''
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05/01/2015 - 30/01/2015
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{| style="text-align: left; width: 100%" border="1" cellspacing="2" cellpadding="2"
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| Segunda-feira
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| Terça-feira
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| Quarta-feira
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| Quinta-feira
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| Sexta-feira
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|-
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| MANUTENÇÃO                        05/01
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| PIXE - CLAUDIA                    06/01
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| He - ANDRÉIA                      07/01
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| H - MONI/ He - ANDRÉIA            08/01
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| He - FABIANO B.                    09/01
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|-   
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| He - MONI / PIXE - IVANESSA        12/01       
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| H - MONI/ He - VAGNER              13/01
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| H - GABRIELA                      14/01
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| MICROFEIXE - CLAUDIA,SILVANA      15/01
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| MICROFEIXE - CARLA                16/01
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|-
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| He - MASSA                        19/01
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| Au/He - GUSTAVO  20:00H          20/01
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| Cu - LIVIA MATTE                  21/01
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| He - GUILHERME                    22/01
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| He - ZACARIAS                      23/01
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|-
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| He - EDUARDO                      26/01
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| He - FABIANO BERNARDI              27/01
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| He - MASSA                        28/01
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| FÉRIAS                            29/01
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| FÉRIAS                            30/01
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|-
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|}
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== Reserva - Sala de Seminários ==
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A sala de seminários do Laboratório de Implantação Iônica é utilizada para seminários, cursos e reuniões. A programação de utilização permanente da sala é mostrada na tabela abaixo.
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'''PROGRAMAÇÃO PERMANENTE (Ano/Semestre: 2014/02)'''
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{| style="text-align: left; width: 100%" border="1" cellspacing="2" cellpadding="2"
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| Horário
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| Segunda-feira
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| Terça-feira
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| Quarta-feira
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| Quinta-feira
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| Sexta-feira
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|-
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| 8:30 - 9:00
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| -
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| -
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| - 
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| -
 +
| -
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|-
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| 9:00 - 9:30
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| Disciplina - Daniel
 +
| -
 +
| Disciplina - Daniel 
 +
| -
 +
| Disciplina - Daniel
 +
|-
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| 9:30 - 10:00 
 +
| Disciplina - Daniel
 +
| -
 +
| Disciplina - Daniel
 +
| -
 +
| Disciplina - Daniel
 +
|-
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| 10:00 - 10:30
 +
| Disciplina - Daniel
 +
| -
 +
| Disciplina - Daniel
 +
| -
 +
| Disciplina - Daniel
 +
|-
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| 10:30 - 11:00
 +
| -
 +
| Disciplina - Henri
 +
| -
 +
| Disciplina - Henri
 +
| -
 +
|-
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| 11:00 - 11:30
 +
| -
 +
| Disciplina - Henri
 +
| -
 +
| Disciplina - Henri
 +
| -
 +
|-
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| 11:30 - 12:00
 +
| -
 +
| Disciplina - Henri
 +
| -
 +
| Disciplina - Henri
 +
| -
 +
|-
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| 12:00 - 12:30
 +
| -
 +
| Disciplina - Henri
 +
| -
 +
| Disciplina - Henri
 +
| -
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|-
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| 12:30 - 13:00 
 +
| -
 +
| -
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| -
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| -
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| -
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|-
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| 13:00 - 13:30
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| -
 +
| -
 +
| -
 +
| Reunião de grupo - Materiais porosos
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| -
 +
|-
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| 13:30 - 14:00
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| -
 +
| -
 +
| Disciplina MIC01 - Henri
 +
| Reunião de grupo - Materiais porosos
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| Reuniões e seminários LII
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|-
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| 14:00 - 14:30
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| Implantador 2 - Pedro
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| Reunião de grupo - Raul
 +
| Disciplina MIC01 - Henri
 +
| -
 +
| Reuniões e seminários LII
 +
|-
 +
| 14:30 - 15:00
 +
| Implantador 2 - Pedro
 +
| Reunião de grupo - Raul
 +
| Disciplina MIC01 - Henri
 +
| -
 +
| Reuniões e seminários LII
 +
|-
 +
| 15:00 - 15:30
 +
| Implantador 2 - Pedro
 +
| -
 +
| Disciplina MIC01 - Henri
 +
| -
 +
| Reuniões e seminários LII
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|-
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| 15:30 - 16:00 
 +
| -
 +
| Reunião de grupo - Johnny
 +
| Disciplina MIC01 - Henri
 +
| -
 +
| Reunião de grupo - MEIS
 +
|-
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| 16:00 - 16:30 
 +
| -
 +
| Reunião de grupo - Johnny
 +
| Disciplina MIC01 - Henri
 +
| -
 +
| -
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|-
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| 16:30 - 17:10
 +
| -
 +
| Reunião de grupo - Johnny
 +
| Disciplina MIC01 - Henri
 +
| -
 +
| -
 +
|-
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| 17:10 - 18:00
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| -
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| Reunião de grupo - Johnny
 +
| Reunião de grupo - Microeletrônica
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| -
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| -
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|-
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|
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|}
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É possível reservar a sala para eventos esporádicos nos horários livres. As reservas esporádicas já efetuadas são as seguintes:
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'''PROGRAMAÇÃO ESPORÁDICA (Ano/Semestre: 2014/01)'''
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{| style="text-align: left; width: 100%" border="1" cellspacing="2" cellpadding="2"
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| Dia
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| Horário
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| Responsável
 +
| Observação
 +
|
 +
|-
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|20/10/2014 (segunda-feira)
 +
|09:00 - 10:30
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|Horácio Coelho Júnior
 +
|Reunião
 +
|-
 +
|31/10/2014 (sexta-feira)
 +
|09:00 - 12:30
 +
|Liana Boufleur
 +
|Defesa de Tese
 +
|-
 +
|13/11/2014 (quinta-feira)
 +
|15:30 - 18:00
 +
|Guilherme / Henri
 +
|Reunião
 +
|-
 +
|08/12/2014 (segunda-feira)
 +
|10:30 - 12:00
 +
|Raquel / Thiago
 +
|Ensaio de Defesa de Tese
 +
|-
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|18/12/2014 (quinta-feira)
 +
|13:30 - 18:00
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|CPG-FIS
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|Defesas de Tese
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|-
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|}
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Para efetuar uma reserva, entre em contato com o Leandro (leandro.langie@ufrgs.br  ramal 6550).
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<br />
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= Fotos =
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[[Imagem:festajunina.jpg|thumb|500px|mais fotos em http://implantador.multiply.com]]
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http://implantador.multiply.com
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= Histórico =
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O Laboratório de Implantação Iônica do Instituto de Física da UFRGS surgiu em 1980 por iniciativa do Prof. Fernando C. Zawislak e de colegas que até então trabalhavam nas áreas de correlação angular perturbada e física nuclear. As atividades do Laboratório de Implantação Iônica tiveram início com a aquisição do acelerador de 400 kV em 1981 (e 1996 ampliado para 500 kV), com recursos da FINEP. Em 1989 recebemos um implantador de íons de 250 kV como doação da IBM (USA), que está dedicado a aplicações em microeletrônica. Antes do fim da década de 1990, o Laboratório de Implantação Iônica já era uma das facilidades de pesquisa de sucesso da UFRGS, não somente pela produção científica qualificada, mas também pela formação de doutores e mestres, e pelo intenso intercâmbio internacional.
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[[Imagem:placa1.jpg|thumb|170px|left|Implantador]]
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[[Imagem:placa2.jpg|thumb|170px|right|Acelerador Tandetron]]
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Como resultado deste sucesso, o grupo de Implantação Iônica recebeu um novo auxílio da FINEP, que permitiu a aquisição, em janeiro de 1995, de um acelerador TANDEM de 3MV, instalado em novo prédio, e em operação desde dezembro de 1996.
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Com estes três aceleradores, o Laboratório tem condições de produzir feixes de praticamente todos os isótopos estáveis da tabela periódica, permitindo uma atuação que cobre, além da pesquisa em física, muitas áreas da ciência dos materiais. Por outro lado, as duas máquinas de maior energia, e principalmente o acelerador Tandem de 3 MV, são instrumentos eficiêntes na análise de materiais, superfícies, interfaces e filmes finos, através das técnicas de Espectrometria de Retroespalhamento Rutherford (RBS), Canalização, Análise por Reações Nucleares (NRA), Análise por Detecção de Recuo Elástico (ERDA), Emissão de Raios-X Induzida por Partículas (PIXE) e Espalhamento, todas elas disponíveis no Laboratório de Implantação Iônica do Instituto de Física da Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
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=Linhas de Pesquisa=
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*''1. Interação de íons com a matéria:''
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- estudo da excitação de plasmons com feixes moleculares;
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- estudos de explosão Coulombiana de moleculas e perfilometria absoluta;
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- determinação de poderes de freamento em de diversos íons em alvos semi-leves;
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- estudo da dispersão de energia (straggling) de diferente tipo de íons em filmes de HfO<sub>2</sub>, ZrO<sub>2</sub> e Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>.
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*''2. Física de dispositivos semicondutores:''                         
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- processos tecnológicos;
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- defeitos em semicondutores criados durante o processamento;
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- síntese de novos materiais eletrônicos;
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- medidas elétricas em micro e nano-estruturas.   
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*''3. Fotoluminescência emitida por nanocristais de Si e Ge formados por implantação iônica e recozimento a alta temperatura em matrizes de SiO<sub>2</sub> e Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>.''
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*''4. Estudo dos processos de formação e da estrutura de nanocristais de íons (Sn, Pb, Ge) implantados em SiO<sub>2</sub>/Si e SiO<sub>2</sub>/SiN/Si.''
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Filmes de SiO<sub>2</sub> crescidos sobre Si e sobre SiN/Si, são implantados com íons de Sn, Ge e Pb e submetidos à tratamento térmico para formar nanoestruturas no interior do SiO<sub>2</sub> e nas interfaces. A caracterização microestrutural é feita com as técnicas de RBS, TEM e HRTEM. Usando tratamentos térmicos a diferentes T e diferentes atmosferas, é possível “fabricar” nanoilhas de diversos tamanhos e localizações. Resultados interessantes recentemente obtidos mostram que é possível obter nanocristais de Si unicamente nas interfaces SiO<sub>2</sub>/Si e SiO<sub>2</sub>/SiN. Estes resultados tem potencial aplicação na moderna tecnologia de informação (filtros óticos, memórias “flash”, etc).
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*''5. Investigação de filmes dielétricos nanoscópicos para utilização como dielétrico de porta em dispositivos semicondutores avançados. ''
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-Processamento térmico. Estudo de transporte atômico. Passivação com hidrogênio e deutério. Estruturas MOS. Métodos de perfilometria com resolução sub-nanométrica por espalhamento de íons de energias intermediárias e por reações nucleares estreitas em baixas energias. Quantificação e perfilometria do hidrogênio por reação nuclear e dissolução química passo a passo.
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- Filmes dielétricos crescidos termicamente sobre carbeto de silício.
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Investigar os mecanismos de crescimento através da mobilidade das espécies O, N, H, C e Si em filmes dielétricos durante o tratamento térmico de c-SiC em atmosferas oxidantes, nitretantes e/ou passivantes utilizando traçagem isotópica e análise com resolução subnanométrica por feixes de íons (NRA, NRP, RBS, LEIS, SIMS). Caracterizar a interface  formada pelo filme dielétrico  e o substrato de SiC por XPS e AFM. Modelar esses processos.   
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- Filmes dielétricos alternativos depositados sobre carbeto de silício.
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Investigar a estabilidade térmica através da mobilidade das espécies: metal, O, H, C e Si em filmes dielétricos alternativos ao SiO<sub>2</sub> depositados sobre lâminas de carbeto de silício monocristalino durante o tratamento térmico em atmosferas oxidantes (O<sub>2</sub>), inertes (Ar, vácuo) e/ou passivantes (NO, H<sub>2</sub>) utilizando traçagem isotópica e análise com alta resolução por feixes de íons (principalmente reações nucleares). Caracterizar a interface formada por XPS, SIMS e AFM.
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*''6. Caracterização Físico-Química de Nanoestruturas de Materiais Semicondutores.'' O principal objetivo desse projeto é uma descrição físico-química detalhada de nanocristais semicondutores. Em tal descrição, serão  abordados aspectos relacionados à alteração de sua superfície por tratamentos de passivação e funcionalização, além de sua exposição a ambientes oxidantes.   
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*''7. Determinação da composição elementar de alimentos e estudo de mecanismos de transporte iônico em proteínas e células utilizando a técnica de PIXE (Particle-Induced X-ray Emission). ''
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*''8. Efeitos da irradiação iônica nas propriedades estruturais de filmes de carbono amorfo hidrogenado''
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Íons de diferentes átomos e energias são usados para estudar os efeitos da irradiação em filmes de a-C:H bem como em filmes com N e F incorporados durante os processos de deposição. Os estudos são realizados com as técnicas de RBS, reação nuclear, Raman, AFM, nanoindentação e FTIR. Os resultados obtidos mostram que a irradiação modifica a estrutura, a dureza e o módulo de Young dos filmes. Talvez, o resultado mais importante obtido recentemente é o efeito da irradiação sobre a tensão interna, que para doses mais elevadas de íons (N<sup>+</sup> e Xe<sup>+</sup>) é nula. Face a diminuição significativa da tensão interna, atualmente estamos investigando propriedades de adesão e delaminação dos filmes irradiados.   
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*''9. Análise de composição química e distribuição em profundidade dos diversos elementos componentes de nanolaminados de compostos metálicos e multicamadas nanoscópicos. ''
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Métodos de perfilometria com resolução sub-nanométrica por espalhamento de íons de energias intermediárias e por reações nucleares estreitas em baixas energias. Quantificação e perfilometria do hidrogênio por reação nuclear e dissolução química passo a passo.
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*''10. Implantação iônica de sistemas metálicos, poliméricos e cerâmicos por imersão em plasma.''
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Caracterização mecânica, eletroquímica e tribológica dos sistemas implantados.
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*''11. Revestimentos protetores nanoestruturados.''
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Preparação e caracterização física e mecânica de multicamadas nanoestruturadas de óxidos refratários (Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>,  TiO<sub>2</sub>, ZrO<sub>2</sub>) para revestimento de ferramentas de corte destinadas a usinagem a seco. Investigação das relações entre composição, estrutura e propriedades mecânicas.
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*''12. Aplicações da implantação iônica na otimização da estabilidade térmica da microestrutura de contatos e interconexões de Al e Cu em dispositivos microeletrônicos. ''
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Os estudos nesta área enfocam o desenvolvimento de pesquisa sistemática, visando a evolução da microestrutura de filmes finos de Al e Cu simulando interconexões metálicas em dispositivos de microeletrônica. Os efeitos da T e da operação em altas densidades de corrente (MA.cm<sup>-2</sup>) combinam-se aumentando a taxa de criação de vacâncias, direcionando o fluxo de átomos intersticiais através das colisões elétron de condução átomo da rede cristalina (da interconexão). Este fato cria regiões ricas em vacâncias, que crescem até provocar a ruptura da interconexão (falha por  eletromigração). Os efeitos da modificação de nanoestrutura das interconexões produzidas por implantação iônica e/ou por processos de tratamento térmico serão agora estudados medindo a condutividade elétrica destas interconexões (testes  de vida média).
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*''13. Nanofios Semicondutores (síntese, modificação, caracterização e aplicações): ''
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- síntese de nanofios verticalmente alinhados de ZnO através do método vapor-líquido-sólido (VLS) em substratos de Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>, Si, SiO<sub>2</sub>, ITO/Si, GaN/Si;
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 +
- dopagem de nanofios de ZnO por implantação iônica;
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- caracterização de nanofios de ZnO por SEM, HRTEM, AFM, PL, XRD;
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- medidas elétricas em nanofios individuais e grupos de fios, dopados e não dopados;
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-"field emission" em nanofios de ZnO crescidos em diferentes padrões;
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- sensoriamento de luz e gás a base de nanofios de ZnO.
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*''14 Formação de padrões metálicos para o crescimento seletivo de nanofios semicondutores utilizando técnicas de litografia: ''
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- litografia óptica;
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- nanolitografia por AFM;
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- nanolitografia por íons individuais;
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- litografia por micro-feixe iônico.
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= Organograma =
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[[Imagem:Organograma2014.png|thumb|600px|Organograma do Laboratório de Implantação Iônica - Reunião 13/03/2014 ]]
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= Pessoal =
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<font face="sans-serif">'''PESQUISADORES'''</font>
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<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/6168905373490043 Fernando Claudio Zawislak], Dr. (IF, UFRGS, 1967) - Fundador e Coordenador Geral do Grupo desde 1980 até 2008 [mailto:zawislak@if.ufrgs.br] </font>
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<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/1888879974374014 Moni Behar], Dr. (UBA, ARGENTINA, 1970) - Coordenador dos Aceleradores desde 1982 até 2010 [mailto:behar@if.ufrgs.br] </font>
 +
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<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/7503942249157750 Israel Jacob Rabin Baumvol], Dr. (IF, UFRGS, 1977) [mailto:israel@if.ufrgs.br] </font>
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<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/1600461423386842 Livio Amaral], Dr. (IF, UFRGS, 1982)  [mailto:amaral@if.ufrgs.br ]</font>
 +
 +
<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/3107128880946249 Paulo Fernando Papaleo Fichtner], Dr. (IF, UFRGS, 1987) [mailto:paulo.fichtner@ufrgs.br] </font>
 +
 +
<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/6996978543675989 Pedro Luís Grande], Dr. (IF, UFRGS, 1989)- Coordenador Geral do Grupo a partir de 2009 [http://www.researcherid.com/rid/F-4065-2010 Researcher ID][mailto:grande@if.ufrgs.br] </font>
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 +
<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/1038716347038971 Johnny Ferraz Dias], Dr. (UG, BÉLGICA, 1994)- Coordenador dos Aceleradores a partir de 2010 [mailto:jfdias@if.ufrgs.br]</font>
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<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/7456235597127456 Henri Ivanov Boudinov] , Dr. (IE-BAN, BULGÁRIA, 1991) [mailto:henry@if.ufrgs.br]</font>
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<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/8312079399403127 Fernanda Chiarello Stedile], Dr. (IQ, UFRGS, 1994) [mailto:fernanda.stedile@ufrgs.br]</font>
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<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/9282310402722246  Rafael Peretti Pezzi], Dr. (IF, UFRGS, 2009) [mailto:pezzi@if.ufrgs.br]</font>  [[Caderno de Laboratório - Rafael Pezzi|Caderno de Laboratório]]
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[http://lattes.cnpq.br/8533340072601019 <font size="-1" face="sans-serif">Raul Carlos Fadanelli Filho</font>]<font size="-1" face="sans-serif">, Dr. (IF, UFRGS, 2005) [mailto:raul@if.ufrgs.br]</font>
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<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/1933730859000512 Ricardo Meurer Papaléo], Dr. (U.UPPSALA, SUÉCIA, 1996) -  PUC-RS [mailto:papaleo@pucrs.br]</font>
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<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/1019763100629841 Rogério Luis Maltez], Dr.(IF, UFRGS, 1997) [mailto:maltez@if.ufrgs.br]</font>
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<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/4839018758765203 Claudio Radtke], Dr. (IF, UFRGS, 2003) [mailto:claudiog@iq.ufrgs.br]]</font>
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<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/8736619776465513 Cristiano Krug], Dr. (IF, UFRGS, 2003) [mailto:cristiano.krug@ufrgs.br]]</font>
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<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/6994764509865929 Gustavo Azevedo],Dr. (IF, UFRGS, 2000) [[http://www.researcherid.com/rid/E-9399-2010 Researcher ID][mailto:gustavo.azevedo@ufrgs.br]]</font>
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<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/7255799414696127 Daniel Lorscheitter Baptista], Dr. (IF, UFRGS, 2003) [mailto:dbaptista@gmail.com]</font>
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<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/2584028342156200  Gabriel Viera Soares], Dr. (IF, UFRGS, 2008) [mailto:gabriel.soares@ufrgs.br]</font>
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<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/1640810725203285  Leandro Langie Araujo], Dr. (IF, UFRGS, 2004) [mailto:leandro.langie@ufrgs.br]</font>
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<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/6103809034908461  Raquel Giulian], Dr. (RSPE, ANU, AUSTRÁLIA, 2009) [mailto:raquel.giulian@ufrgs.br]</font>
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<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/9505103753673163  José Henrique Rodrigues dos Santos], Dr. (IF, UFRGS 1997) [mailto:zeheros@if.ufrgs.br]</font>
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<font size="-1" face="sans-serif">[http://lattes.cnpq.br/5087940395812427  Agenor Hentz da Silva], Dr. (IF,UFRGS, 2008) [mailto:agenor@gmail.com]</font>
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<font face="sans-serif">'''PESQUISADORES ASSOCIADOS'''</font>
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[http://lattes.cnpq.br/1357421038233208 <font size="-1" face="sans-serif">Douglas Langie da Silva</font>]<font size="-1" face="sans-serif">, Dr. (IF, UFRGS, 2004) - Colaborador, UFPel [mailto:douglaslangie@gmail.com]</font>
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[http://lattes.cnpq.br/7323260281207063 <font size="-1" face="sans-serif">Eduardo Ceretta Moreira</font>]<font size="-1" face="sans-serif">, Dr (IF, UFRGS, 2000) - Colaborador, UNIPAMPA [mailto:eduardomoreira@unipampa.edu.br]</font>
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[http://lattes.cnpq.br/2296402907146130 <font size="-1" face="sans-serif">Irene Teresinha Santos Garcia</font>]<font size="-1" face="sans-serif">, Dr (IF, UFRGS, 2001) - Colaborador, UFPEL [mailto:irenetsgarcia@yahoo.com.br]</font>
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[http://lattes.cnpq.br/1961170773106816 <font size="-1" face="sans-serif">Uilson Schwantz Sias</font>]<font size="-1" face="sans-serif">, Dr. (IF, UFRGS, 2006) - Colaborador, CEFET-RS [mailto:uilson@cefetrs.tche.br]</font>
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[http://lattes.cnpq.br/2375490528098026 <font size="-1" face="sans-serif">Felipe Kremer</font>]<font size="-1" face="sans-serif">, Dr. (IF, UFRGS, 2010) - Colaborador, ANU, Austrália  [mailto:kremer.felipe@gmail.com]</font>
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[http://lattes.cnpq.br/5747875882259575 <font size="-1" face="sans-serif">Carla Eliete Iochims dos Santos</font>]<font size="-1" face="sans-serif">, Dr. (IF, UFRGS, 2011) - Colaborador, USP-SP [mailto:carlaiochims@yahoo.com.br]</font>
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<font face="sans-serif">'''PÓS-DOUTORANDOS'''</font>
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<font size="-1" face="sans-serif">Maurício de Albuquerque Sortica [mailto:mausortica@gmail.com]</font>
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<font size="-1" face="sans-serif">Paulo Fernandes Costa Jobim [mailto:pjobim@uol.com.br]</font>
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<font size="-1" face="sans-serif">Rafael Leal [mailto:rafaleal2003@yahoo.com.br]</font>
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<font size="-1" face="sans-serif">Wellington Silva Fernandez [mailto:fernandez@usp.br]</font>
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<font face="sans-serif">'''RESPONSÁVEL TÉCNICO PELOS ACELERADORES'''</font>
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<span class="MsoHyperlink"><font size="-1" face="sans-serif">Agostinho A. Bula</font></span><font size="-1" face="sans-serif">, Eng. Elétrico [mailto:bulla@if.ufrgs.br]</font>
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<font face="sans-serif">'''TÉCNICOS'''</font>
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<span class="MsoHyperlink"><font size="-1" face="sans-serif">Clodomiro F. Castello</font></span><font size="-1" face="sans-serif">, técnico operador dos aceleradores[mailto:miro@if.ufrgs.br ]</font>
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<span class="MsoHyperlink"><font size="-1" face="sans-serif">Paulo R. Borba</font></span><font size="-1" face="sans-serif">, técnico operador dos aceleradores [mailto:pborba@if.ufrgs.br]</font>
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<span class="MsoHyperlink"><font size="-1" face="sans-serif">Paulo Kovalick</font></span><font size="-1" face="sans-serif">, técnico mecânico, responsável pela oficina mecânica [mailto:paulokovalick@hotmail.com]</font>
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<font face="sans-serif">'''ALUNOS DE DOUTORADO'''</font>
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<font size="-1" face="sans-serif">Anaí Duarte [mailto:anaiduarte@yahoo.com.br]</font>
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<font size="-1" face="sans-serif">Augusto Alexandre Durgante de Mattos [mailto:augusto.mattos@ufrgs.br]</font>
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<font size="-1" face="sans-serif">Chiara das Dores do Nascimento [mailto:chiarafisicamedica@hotmail.com]</font>
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<font size="-1" face="sans-serif">Cláudia Telles de Souza [mailto:clau_telles@yahoo.com.br]</font>
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<font size="-1" face="sans-serif">Cristiane Marin [mailto:marincristiane@gmail.com]</font>
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<font size="-1" face="sans-serif">Deise Schafer [mailto:deise.schafer@ufrgs.br]</font>
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<font size="-1" face="sans-serif">Elis Moura Stori [mailto:elistori@gmail.com ]</font>
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 +
<font size="-1" face="sans-serif">Gabriel Marmitt [mailto:gabriel.marmitt7@gmail.com]</font>
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 +
<font size="-1" face="sans-serif">Josiane Bueno Salazar [mailto:josianesalazar@gmail.com]</font>
 +
 +
<font size="-1" face="sans-serif">Liana Appel Boufleur [mailto:liana.boufleur@ufrgs.br]</font>
 +
 +
<font size="-1" face="sans-serif">Lúcio Flávio dos Santos Rosa [mailto:lucio_efei@hotmail.com]</font>
 +
 +
<font size="-1" face="sans-serif">Masahiro Hatori [mailto:hatori.masa@gmail.com]</font>
 +
 +
<font size="-1" face="sans-serif">Rafael Cardim Pazim [mailto:]</font>
 +
 +
<font size="-1" face="sans-serif">Roberto Moreno Souza dos Reis [mailto:reis@if.ufrgs.br]</font>
 +
 +
<font size="-1" face="sans-serif">Tiago Silva de Ávila [mailto:ufpeltiago@gmail.com]</font>
 +
 +
<font size="-1" face="sans-serif">Zacarias Eduardo Fabrim [mailto:zacarias.fabrim@gmail.com]</font>
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 +
<font size="-1" face="sans-serif">Eduardo Pitthan Filho [mailto:eppitth@hotmail.com]</font>
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<font face="sans-serif">'''ALUNOS DE MESTRADO'''</font>
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 +
<font size="-1" face="sans-serif">Eliasibe Luis de Souza [mailto:eluis10@gmail.com]</font>
 +
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<font size="-1" face="sans-serif">João Wagner Oliveira [mailto:kovlus@gmail.com]</font>
 +
 +
<font size="-1" face="sans-serif">Luiza Raquel Manfredi da Silva [mailto:lu.manfredi@gmail.com]</font>
 +
 +
 +
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<font face="sans-serif">'''ALUNOS DE INICIAÇÃO CIENTÍFICA'''</font>
 +
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 +
<font size="-1" face="sans-serif">Deiverti de Vila Bauer [mailto:deiverti.bauer@ufrgs.br]</font>
 +
 +
<font size="-1" face="sans-serif">Felipe Dalponte Bregalda [mailto:felipebregalda@hotmail.com]</font>
 +
 +
<font size="-1" face="sans-serif">Guilherme Domingues Kolinger [mailto:guikolinger@gmail.com]</font>
 +
 +
<font size="-1" face="sans-serif">Júlio César Ferreira Tâmbara [mailto:julio.tambara@ufrgs.br]</font>
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 +
<font size="-1" face="sans-serif">Lais Gomes de Almeida [mailto:lais.almeidag@gmail.com]</font>
 +
 +
<font size="-1" face="sans-serif">Mateus Vicente Wrasse Wiebusch Müller [mailto:muller.mat@gmail.com]</font>
 +
 +
<font size="-1" face="sans-serif">Mariana de Mello Timm [mailto:mariana.timm@gmail.com]</font>
 +
 +
<font size="-1" face="sans-serif">Vanessa Sobrosa Souza [mailto:00138331@ufrgs.br]</font>
 +
 +
<font size="-1" face="sans-serif">Viviane Peçanha Antonio [mailto:viviane.peçanha.antonio@gmail.com]</font>
 +
 +
<font size="-1" face="sans-serif">Lucas Hansen [mailto:hansen.lcs@gmail.com]</font>
 +
 +
<font size="-1" face="sans-serif">Gustavo Henrique Stedile Dartora [mailto:biggus360@gmail.com]</font>
 +
 +
= Infra-estrutura =
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{| style="text-align: center; width: 100%" border="1" cellspacing="2" cellpadding="2"
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| [[Image:Tandetron.jpg|center|thumb| Acelerador [[Tandetron]] 3MV]]
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| [[Image:HV500c.jpg|center|thumb| Acelerador [[500]] kV]]
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| [[Image:250.jpg|center|thumb| Acelerador 250 kV]]
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|-
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| [[Image:fornos.jpg|center|thumb| [[Reatores]] e Fornos]]
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| [[Image:optica.jpg|center|thumb| [[Óptica]]]]
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| [[Image:preparo.jpg|center|thumb| Sala limpa e preparação]]
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|-
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| [[Image:oficina.jpg|center|thumb| [[Oficina]] Mecânica]]
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| [[Image:apoio.jpg|center|thumb| Salas de apoio]]
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| [[Image:250.jpg|center|thumb| Acelerador 250 kV]]
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|}
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<br />
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= Técnicas  =
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'''TÉCNICAS DE ANÁLISE POR FEIXE DE ÍONS'''
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*Espectrometria de Retroespalhamento Rutherford ([[RBS]]) e Canalização
 +
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*Análise por Reações Nucleares ([[NRA]])
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*Análise por Detecção de Recuo Elástico ([[ERDA]])
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*Emissão de Raios-X Induzida por Partículas ([[PIXE]])
 +
 +
*Espalhamento de Íons de Energia Média ([[MEIS]])
 +
 +
 +
 +
'''IMPLANTAÇÃO E IRRADIAÇÃO IÔNICA'''
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 +
=Laboratórios Associados=
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 +
*[http://www.if.ufrgs.br/microel Laboratório de Microeletrônica ]
 +
*[https://plone.ufrgs.br/fqsis Laboratório de Físico-Química de Superfícies e Interfaces Sólidas ]
 +
 +
=Links=
 +
* [[Logotipo]]
 +
* [[Aceleradores e feixes de íons]]
 +
* [[Semicondutores]]
 +
* [[Nano]]
 +
* [[Energia]]
 +
* [[Manual MEIS]]
 +
* [[Manual PowerMeis]]
 +
 +
= Contato =
 +
 
Laboratório de Implantação Iônica
 
Laboratório de Implantação Iônica
 +
Instituto de Física
 +
Universidade Federal do Rio Grande do Sul – UFRGS
 +
 +
Av. Bento Gonçalves, 9500
 +
91501-970 Porto Alegre, RS
 +
Brasil
 +
Fone: +55-51 3308-7004
 +
Fax: +55-51 3308-7286
 +
 +
= Ajuda =
 +
 +
* [http://www.mediawiki.org/wiki/Manual:Configuration_settings Lista de opções de configuração]
 +
* [http://www.mediawiki.org/wiki/Manual:FAQ FAQ do MediaWiki]
 +
* [https://lists.wikimedia.org/mailman/listinfo/mediawiki-announce Lista de discussão com avisos de novas versões do MediaWiki]

Edição das 13h31min de 30 de janeiro de 2015

Bem-vindo !

English Version
Laboratório de Implantação de Íons.

Avisos


VII Encontro Sul-Americano de Colisões Inelásticas na Matéria (VII ESCIM), Gramado (RS), Brasil, 27 a 30 de outubro de 2014 [1]

Livro de resumo do VII ESCIM [2]

VII ESCIM



Veja o blog do Instituto Nacional de Engenharia de Superfícies [ http://bit.ly/MAdmsG]


REGRAS DE USO DO LABORATÓRIO [3]


ANNUAL REPORT 2012 do Laboratório [4]

ANNUAL REPORT 2011 do Laboratório [5]

ANNUAL REPORT 2010 do Laboratório [6]


Fotos do Laboratório em http://implantador.multiply.com

'Seminários do LII'

Quintas-feiras, 14 h, na sala de seminários da Implantação Iônica.

Data - Palestrante - Tema


Cronograma

(sujeito a modificações)

Implantador 

17/11/2014 a 12/12/2014
 
     Qualquer dúvida falar com o Agostinho.
Segunda-feira Terça-feira Quarta-feira Quinta-feira Sexta-feira



Tandetron

05/01/2015 - 30/01/2015

Segunda-feira Terça-feira Quarta-feira Quinta-feira Sexta-feira
MANUTENÇÃO 05/01 PIXE - CLAUDIA 06/01 He - ANDRÉIA 07/01 H - MONI/ He - ANDRÉIA 08/01 He - FABIANO B. 09/01
He - MONI / PIXE - IVANESSA 12/01 H - MONI/ He - VAGNER 13/01 H - GABRIELA 14/01 MICROFEIXE - CLAUDIA,SILVANA 15/01 MICROFEIXE - CARLA 16/01
He - MASSA 19/01 Au/He - GUSTAVO 20:00H 20/01 Cu - LIVIA MATTE 21/01 He - GUILHERME 22/01 He - ZACARIAS 23/01
He - EDUARDO 26/01 He - FABIANO BERNARDI 27/01 He - MASSA 28/01 FÉRIAS 29/01 FÉRIAS 30/01

Reserva - Sala de Seminários

A sala de seminários do Laboratório de Implantação Iônica é utilizada para seminários, cursos e reuniões. A programação de utilização permanente da sala é mostrada na tabela abaixo.



PROGRAMAÇÃO PERMANENTE (Ano/Semestre: 2014/02)

Horário Segunda-feira Terça-feira Quarta-feira Quinta-feira Sexta-feira
8:30 - 9:00 - - - - -
9:00 - 9:30 Disciplina - Daniel - Disciplina - Daniel - Disciplina - Daniel
9:30 - 10:00 Disciplina - Daniel - Disciplina - Daniel - Disciplina - Daniel
10:00 - 10:30 Disciplina - Daniel - Disciplina - Daniel - Disciplina - Daniel
10:30 - 11:00 - Disciplina - Henri - Disciplina - Henri -
11:00 - 11:30 - Disciplina - Henri - Disciplina - Henri -
11:30 - 12:00 - Disciplina - Henri - Disciplina - Henri -
12:00 - 12:30 - Disciplina - Henri - Disciplina - Henri -
12:30 - 13:00 - - - - -
13:00 - 13:30 - - - Reunião de grupo - Materiais porosos -
13:30 - 14:00 - - Disciplina MIC01 - Henri Reunião de grupo - Materiais porosos Reuniões e seminários LII
14:00 - 14:30 Implantador 2 - Pedro Reunião de grupo - Raul Disciplina MIC01 - Henri - Reuniões e seminários LII
14:30 - 15:00 Implantador 2 - Pedro Reunião de grupo - Raul Disciplina MIC01 - Henri - Reuniões e seminários LII
15:00 - 15:30 Implantador 2 - Pedro - Disciplina MIC01 - Henri - Reuniões e seminários LII
15:30 - 16:00 - Reunião de grupo - Johnny Disciplina MIC01 - Henri - Reunião de grupo - MEIS
16:00 - 16:30 - Reunião de grupo - Johnny Disciplina MIC01 - Henri - -
16:30 - 17:10 - Reunião de grupo - Johnny Disciplina MIC01 - Henri - -
17:10 - 18:00 - Reunião de grupo - Johnny Reunião de grupo - Microeletrônica - -


É possível reservar a sala para eventos esporádicos nos horários livres. As reservas esporádicas já efetuadas são as seguintes:


PROGRAMAÇÃO ESPORÁDICA (Ano/Semestre: 2014/01)

Dia Horário Responsável Observação
20/10/2014 (segunda-feira) 09:00 - 10:30 Horácio Coelho Júnior Reunião
31/10/2014 (sexta-feira) 09:00 - 12:30 Liana Boufleur Defesa de Tese
13/11/2014 (quinta-feira) 15:30 - 18:00 Guilherme / Henri Reunião
08/12/2014 (segunda-feira) 10:30 - 12:00 Raquel / Thiago Ensaio de Defesa de Tese
18/12/2014 (quinta-feira) 13:30 - 18:00 CPG-FIS Defesas de Tese


Para efetuar uma reserva, entre em contato com o Leandro (leandro.langie@ufrgs.br ramal 6550).

Fotos

mais fotos em http://implantador.multiply.com
http://implantador.multiply.com

Histórico

O Laboratório de Implantação Iônica do Instituto de Física da UFRGS surgiu em 1980 por iniciativa do Prof. Fernando C. Zawislak e de colegas que até então trabalhavam nas áreas de correlação angular perturbada e física nuclear. As atividades do Laboratório de Implantação Iônica tiveram início com a aquisição do acelerador de 400 kV em 1981 (e 1996 ampliado para 500 kV), com recursos da FINEP. Em 1989 recebemos um implantador de íons de 250 kV como doação da IBM (USA), que está dedicado a aplicações em microeletrônica. Antes do fim da década de 1990, o Laboratório de Implantação Iônica já era uma das facilidades de pesquisa de sucesso da UFRGS, não somente pela produção científica qualificada, mas também pela formação de doutores e mestres, e pelo intenso intercâmbio internacional.

Implantador
Acelerador Tandetron

Como resultado deste sucesso, o grupo de Implantação Iônica recebeu um novo auxílio da FINEP, que permitiu a aquisição, em janeiro de 1995, de um acelerador TANDEM de 3MV, instalado em novo prédio, e em operação desde dezembro de 1996.

Com estes três aceleradores, o Laboratório tem condições de produzir feixes de praticamente todos os isótopos estáveis da tabela periódica, permitindo uma atuação que cobre, além da pesquisa em física, muitas áreas da ciência dos materiais. Por outro lado, as duas máquinas de maior energia, e principalmente o acelerador Tandem de 3 MV, são instrumentos eficiêntes na análise de materiais, superfícies, interfaces e filmes finos, através das técnicas de Espectrometria de Retroespalhamento Rutherford (RBS), Canalização, Análise por Reações Nucleares (NRA), Análise por Detecção de Recuo Elástico (ERDA), Emissão de Raios-X Induzida por Partículas (PIXE) e Espalhamento, todas elas disponíveis no Laboratório de Implantação Iônica do Instituto de Física da Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

Linhas de Pesquisa

  • 1. Interação de íons com a matéria:

- estudo da excitação de plasmons com feixes moleculares;

- estudos de explosão Coulombiana de moleculas e perfilometria absoluta;

- determinação de poderes de freamento em de diversos íons em alvos semi-leves;

- estudo da dispersão de energia (straggling) de diferente tipo de íons em filmes de HfO2, ZrO2 e Al2O3.

  • 2. Física de dispositivos semicondutores:

- processos tecnológicos;

- defeitos em semicondutores criados durante o processamento;

- síntese de novos materiais eletrônicos;

- medidas elétricas em micro e nano-estruturas.

  • 3. Fotoluminescência emitida por nanocristais de Si e Ge formados por implantação iônica e recozimento a alta temperatura em matrizes de SiO2 e Si3N4.
  • 4. Estudo dos processos de formação e da estrutura de nanocristais de íons (Sn, Pb, Ge) implantados em SiO2/Si e SiO2/SiN/Si.

Filmes de SiO2 crescidos sobre Si e sobre SiN/Si, são implantados com íons de Sn, Ge e Pb e submetidos à tratamento térmico para formar nanoestruturas no interior do SiO2 e nas interfaces. A caracterização microestrutural é feita com as técnicas de RBS, TEM e HRTEM. Usando tratamentos térmicos a diferentes T e diferentes atmosferas, é possível “fabricar” nanoilhas de diversos tamanhos e localizações. Resultados interessantes recentemente obtidos mostram que é possível obter nanocristais de Si unicamente nas interfaces SiO2/Si e SiO2/SiN. Estes resultados tem potencial aplicação na moderna tecnologia de informação (filtros óticos, memórias “flash”, etc).

  • 5. Investigação de filmes dielétricos nanoscópicos para utilização como dielétrico de porta em dispositivos semicondutores avançados.

-Processamento térmico. Estudo de transporte atômico. Passivação com hidrogênio e deutério. Estruturas MOS. Métodos de perfilometria com resolução sub-nanométrica por espalhamento de íons de energias intermediárias e por reações nucleares estreitas em baixas energias. Quantificação e perfilometria do hidrogênio por reação nuclear e dissolução química passo a passo.

- Filmes dielétricos crescidos termicamente sobre carbeto de silício. Investigar os mecanismos de crescimento através da mobilidade das espécies O, N, H, C e Si em filmes dielétricos durante o tratamento térmico de c-SiC em atmosferas oxidantes, nitretantes e/ou passivantes utilizando traçagem isotópica e análise com resolução subnanométrica por feixes de íons (NRA, NRP, RBS, LEIS, SIMS). Caracterizar a interface formada pelo filme dielétrico e o substrato de SiC por XPS e AFM. Modelar esses processos.

- Filmes dielétricos alternativos depositados sobre carbeto de silício. Investigar a estabilidade térmica através da mobilidade das espécies: metal, O, H, C e Si em filmes dielétricos alternativos ao SiO2 depositados sobre lâminas de carbeto de silício monocristalino durante o tratamento térmico em atmosferas oxidantes (O2), inertes (Ar, vácuo) e/ou passivantes (NO, H2) utilizando traçagem isotópica e análise com alta resolução por feixes de íons (principalmente reações nucleares). Caracterizar a interface formada por XPS, SIMS e AFM.

  • 6. Caracterização Físico-Química de Nanoestruturas de Materiais Semicondutores. O principal objetivo desse projeto é uma descrição físico-química detalhada de nanocristais semicondutores. Em tal descrição, serão abordados aspectos relacionados à alteração de sua superfície por tratamentos de passivação e funcionalização, além de sua exposição a ambientes oxidantes.
  • 7. Determinação da composição elementar de alimentos e estudo de mecanismos de transporte iônico em proteínas e células utilizando a técnica de PIXE (Particle-Induced X-ray Emission).
  • 8. Efeitos da irradiação iônica nas propriedades estruturais de filmes de carbono amorfo hidrogenado

Íons de diferentes átomos e energias são usados para estudar os efeitos da irradiação em filmes de a-C:H bem como em filmes com N e F incorporados durante os processos de deposição. Os estudos são realizados com as técnicas de RBS, reação nuclear, Raman, AFM, nanoindentação e FTIR. Os resultados obtidos mostram que a irradiação modifica a estrutura, a dureza e o módulo de Young dos filmes. Talvez, o resultado mais importante obtido recentemente é o efeito da irradiação sobre a tensão interna, que para doses mais elevadas de íons (N+ e Xe+) é nula. Face a diminuição significativa da tensão interna, atualmente estamos investigando propriedades de adesão e delaminação dos filmes irradiados.

  • 9. Análise de composição química e distribuição em profundidade dos diversos elementos componentes de nanolaminados de compostos metálicos e multicamadas nanoscópicos.

Métodos de perfilometria com resolução sub-nanométrica por espalhamento de íons de energias intermediárias e por reações nucleares estreitas em baixas energias. Quantificação e perfilometria do hidrogênio por reação nuclear e dissolução química passo a passo.

  • 10. Implantação iônica de sistemas metálicos, poliméricos e cerâmicos por imersão em plasma.

Caracterização mecânica, eletroquímica e tribológica dos sistemas implantados.

  • 11. Revestimentos protetores nanoestruturados.

Preparação e caracterização física e mecânica de multicamadas nanoestruturadas de óxidos refratários (Al2O3, TiO2, ZrO2) para revestimento de ferramentas de corte destinadas a usinagem a seco. Investigação das relações entre composição, estrutura e propriedades mecânicas.

  • 12. Aplicações da implantação iônica na otimização da estabilidade térmica da microestrutura de contatos e interconexões de Al e Cu em dispositivos microeletrônicos.

Os estudos nesta área enfocam o desenvolvimento de pesquisa sistemática, visando a evolução da microestrutura de filmes finos de Al e Cu simulando interconexões metálicas em dispositivos de microeletrônica. Os efeitos da T e da operação em altas densidades de corrente (MA.cm-2) combinam-se aumentando a taxa de criação de vacâncias, direcionando o fluxo de átomos intersticiais através das colisões elétron de condução átomo da rede cristalina (da interconexão). Este fato cria regiões ricas em vacâncias, que crescem até provocar a ruptura da interconexão (falha por eletromigração). Os efeitos da modificação de nanoestrutura das interconexões produzidas por implantação iônica e/ou por processos de tratamento térmico serão agora estudados medindo a condutividade elétrica destas interconexões (testes de vida média).

  • 13. Nanofios Semicondutores (síntese, modificação, caracterização e aplicações):

- síntese de nanofios verticalmente alinhados de ZnO através do método vapor-líquido-sólido (VLS) em substratos de Al2O3, Si, SiO2, ITO/Si, GaN/Si;

- dopagem de nanofios de ZnO por implantação iônica;

- caracterização de nanofios de ZnO por SEM, HRTEM, AFM, PL, XRD;

- medidas elétricas em nanofios individuais e grupos de fios, dopados e não dopados;

-"field emission" em nanofios de ZnO crescidos em diferentes padrões; - sensoriamento de luz e gás a base de nanofios de ZnO.

  • 14 Formação de padrões metálicos para o crescimento seletivo de nanofios semicondutores utilizando técnicas de litografia:

- litografia óptica;

- nanolitografia por AFM;

- nanolitografia por íons individuais;

- litografia por micro-feixe iônico.

Organograma

Organograma do Laboratório de Implantação Iônica - Reunião 13/03/2014

Pessoal

PESQUISADORES

Fernando Claudio Zawislak, Dr. (IF, UFRGS, 1967) - Fundador e Coordenador Geral do Grupo desde 1980 até 2008 [7]

Moni Behar, Dr. (UBA, ARGENTINA, 1970) - Coordenador dos Aceleradores desde 1982 até 2010 [8]

Israel Jacob Rabin Baumvol, Dr. (IF, UFRGS, 1977) [9]

Livio Amaral, Dr. (IF, UFRGS, 1982) [10]

Paulo Fernando Papaleo Fichtner, Dr. (IF, UFRGS, 1987) [11]

Pedro Luís Grande, Dr. (IF, UFRGS, 1989)- Coordenador Geral do Grupo a partir de 2009 Researcher ID[12]

Johnny Ferraz Dias, Dr. (UG, BÉLGICA, 1994)- Coordenador dos Aceleradores a partir de 2010 [13]

Henri Ivanov Boudinov , Dr. (IE-BAN, BULGÁRIA, 1991) [14]

Fernanda Chiarello Stedile, Dr. (IQ, UFRGS, 1994) [15]

Rafael Peretti Pezzi, Dr. (IF, UFRGS, 2009) [16] Caderno de Laboratório

Raul Carlos Fadanelli Filho, Dr. (IF, UFRGS, 2005) [17]

Ricardo Meurer Papaléo, Dr. (U.UPPSALA, SUÉCIA, 1996) - PUC-RS [18]

Rogério Luis Maltez, Dr.(IF, UFRGS, 1997) [19]

Claudio Radtke, Dr. (IF, UFRGS, 2003) [20]]

Cristiano Krug, Dr. (IF, UFRGS, 2003) [21]]

Gustavo Azevedo,Dr. (IF, UFRGS, 2000) [Researcher ID[22]]

Daniel Lorscheitter Baptista, Dr. (IF, UFRGS, 2003) [23]

Gabriel Viera Soares, Dr. (IF, UFRGS, 2008) [24]

Leandro Langie Araujo, Dr. (IF, UFRGS, 2004) [25]

Raquel Giulian, Dr. (RSPE, ANU, AUSTRÁLIA, 2009) [26]

José Henrique Rodrigues dos Santos, Dr. (IF, UFRGS 1997) [27]

Agenor Hentz da Silva, Dr. (IF,UFRGS, 2008) [28]


PESQUISADORES ASSOCIADOS

Douglas Langie da Silva, Dr. (IF, UFRGS, 2004) - Colaborador, UFPel [29]

Eduardo Ceretta Moreira, Dr (IF, UFRGS, 2000) - Colaborador, UNIPAMPA [30]

Irene Teresinha Santos Garcia, Dr (IF, UFRGS, 2001) - Colaborador, UFPEL [31]

Uilson Schwantz Sias, Dr. (IF, UFRGS, 2006) - Colaborador, CEFET-RS [32]

Felipe Kremer, Dr. (IF, UFRGS, 2010) - Colaborador, ANU, Austrália [33]

Carla Eliete Iochims dos Santos, Dr. (IF, UFRGS, 2011) - Colaborador, USP-SP [34]


PÓS-DOUTORANDOS

Maurício de Albuquerque Sortica [35]

Paulo Fernandes Costa Jobim [36]

Rafael Leal [37]

Wellington Silva Fernandez [38]


RESPONSÁVEL TÉCNICO PELOS ACELERADORES

Agostinho A. Bula, Eng. Elétrico [39]


TÉCNICOS

Clodomiro F. Castello, técnico operador dos aceleradores[40]

Paulo R. Borba, técnico operador dos aceleradores [41]

Paulo Kovalick, técnico mecânico, responsável pela oficina mecânica [42]


ALUNOS DE DOUTORADO

Anaí Duarte [43]

Augusto Alexandre Durgante de Mattos [44]

Chiara das Dores do Nascimento [45]

Cláudia Telles de Souza [46]

Cristiane Marin [47]

Deise Schafer [48]

Elis Moura Stori [49]

Gabriel Marmitt [50]

Josiane Bueno Salazar [51]

Liana Appel Boufleur [52]

Lúcio Flávio dos Santos Rosa [53]

Masahiro Hatori [54]

Rafael Cardim Pazim [mailto:]

Roberto Moreno Souza dos Reis [55]

Tiago Silva de Ávila [56]

Zacarias Eduardo Fabrim [57]

Eduardo Pitthan Filho [58]


ALUNOS DE MESTRADO


Eliasibe Luis de Souza [59]

João Wagner Oliveira [60]

Luiza Raquel Manfredi da Silva [61]


ALUNOS DE INICIAÇÃO CIENTÍFICA


Deiverti de Vila Bauer [62]

Felipe Dalponte Bregalda [63]

Guilherme Domingues Kolinger [64]

Júlio César Ferreira Tâmbara [65]

Lais Gomes de Almeida [66]

Mateus Vicente Wrasse Wiebusch Müller [67]

Mariana de Mello Timm [68]

Vanessa Sobrosa Souza [69]

Viviane Peçanha Antonio [70]

Lucas Hansen [71]

Gustavo Henrique Stedile Dartora [72]

Infra-estrutura

Acelerador Tandetron 3MV
Acelerador 500 kV
Acelerador 250 kV
Reatores e Fornos
Óptica
Sala limpa e preparação
Oficina Mecânica
Salas de apoio
Acelerador 250 kV


Técnicas

TÉCNICAS DE ANÁLISE POR FEIXE DE ÍONS

  • Espectrometria de Retroespalhamento Rutherford (RBS) e Canalização
  • Análise por Reações Nucleares (NRA)
  • Análise por Detecção de Recuo Elástico (ERDA)
  • Emissão de Raios-X Induzida por Partículas (PIXE)
  • Espalhamento de Íons de Energia Média (MEIS)


IMPLANTAÇÃO E IRRADIAÇÃO IÔNICA

Laboratórios Associados

Links

Contato

Laboratório de Implantação Iônica Instituto de Física Universidade Federal do Rio Grande do Sul – UFRGS

Av. Bento Gonçalves, 9500 91501-970 Porto Alegre, RS Brasil Fone: +55-51 3308-7004 Fax: +55-51 3308-7286

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